Capacités de conception
Calculs magnétiques transitoires
Calcul thermique
Modélisation 3D statique et dynamique sur
Opera 2d TH / 3d Tempo de Cobham CTS
Simulation électrique sous Orcad Spice de Cadence
Conception mécanique sous Solidworks
Conception et utilisation de switches semi-conducteur haute tension rapides
Capacités de réalisation
Maquettes et prototypage
Montage et test ultra vide
Tests électriques et mesures magnétiques pulsés
Exemples avec performance
Prototype du système d’injection pour FAIR-HESR
Flat top value : 4000 A
Rise time : 191 ns
Fall time : 220 ns
Flat top ripple : +/-0.45%
Ripple after fall time : +/- 26 A
Flat top duration : 233 ns
Jitter (std deviation): <1 ns
Technology : based on ON / OFF semiconductor switches.
Kicker magnet :
Length : 360 mm
10-10 mbar
Inductance : 0.8 μH
BO : 54 mT
Field integral : 0.022 T.m
Field integral homogeneity : < +/-1%
Refer to IPAC poster : Injection kicker for HESR at FAIR using Semi-conductor switches
Systèmes d’injection et d’extraction Cryring
High voltage : 20 kV
Current pulse : adjustable from 200 A to 3600 A
Rise time / fall time : 280ns
Flap top ripple : +/- 3%
Pulse duration : adjustable, from 1.6 μs to 16 μs
Repetition rate : 0,5 Hz
Technology : based on ON / OFF semiconductor switches.
Kicker magnet :
Length : 400 mm
UHV chamber : ceramic
Inductance : 1 μH
BO : 46 mT
Field integral : adjustable from 0.001 T.m to 0.02 T.m
Field integral homogeneity : < +/-1%
Refer to IPAC poster : Adjustable pulse duration fast kicker for the cryring storage ring
Septum Soleil
Pulser :
Signal : full sinus wave, 120 μs duration
Peak current : 5500 A
Voltage : 1kV
Rep. rate : 3 Hz
Septum magnet :
10-10 mbar
BO field : 500 mT
Field integral : 255 mT.m
Field integral transverse homogeneity : < ± 0,45%
Leak field integral : < 10 ppm of injected beam field integral